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鉬合金靶

[ 時間↟╃│:2018-01-02 13:57:52 ]
鉬合金靶
產品名稱↟╃│:

鉬合金靶

所屬分類↟╃│:鉬靶材

詳情介紹

鍍膜靶材是透過磁控濺射·✘☁╃│、多弧離子鍍或其他型別的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源·│▩。簡單說的話│✘│•▩,靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料│✘│•▩,用於高能鐳射武器中│✘│•▩,不同功率密度·✘☁╃│、不同輸出波形·✘☁╃│、不同波長的鐳射與不同的靶材相互作用時│✘│•▩,會產生不同的殺傷破壞應·│▩。例如↟╃│:蒸發磁控濺射鍍膜是加熱蒸發鍍膜·✘☁╃│、鋁膜等·│▩。更換不同的靶材(如鋁·✘☁╃│、銅·✘☁╃│、不鏽鋼·✘☁╃│、鈦·✘☁╃│、鎳靶等)│✘│•▩,即可得到不同的膜系(如超硬·✘☁╃│、耐磨·✘☁╃│、防腐的合金膜等)·│▩。


製作工藝

磁控濺射靶材

1)磁控濺射原理↟╃│:

在被濺射的靶(陰)與陽之間加個正交磁場和電場│✘│•▩,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)│✘│•▩,磁鐵在靶材料表面形成250350高斯的磁場│✘│•▩,同高壓電場組成正交電磁場·│▩。在電場的作用下│✘│•▩,Ar氣電離成正離子和電子│✘│•▩,靶上加有定的負高壓│✘│•▩,從靶發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離機率增大│✘│•▩,在陰附近形成高密度的等離子體│✘│•▩,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面│✘│•▩,以很高的速度轟擊靶面│✘│•▩,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片澱積成膜·│▩。磁控濺射般分為二種↟╃│:直流濺射和射頻濺射│✘│•▩,其中直流濺射裝置原理簡單│✘│•▩,在濺射金屬時│✘│•▩,其速率也快·│▩。而射頻濺射的使用範圍更為廣泛│✘│•▩,除可濺射導電材料外│✘│•▩,也可濺射非導電的材料│✘│•▩,同時還可進行反應濺射製備氧化物·✘☁╃│、氮化物和碳化物等化合物材料·│▩。若射頻的頻率提高後就成為微波等離子體濺射│✘│•▩,如今│✘│•▩,常用的有電子迴旋共振(ECR)型微波等離子體濺射·│▩。

2)磁控濺射靶材種類↟╃│:

金屬濺射鍍膜靶材│✘│•▩,合金濺射鍍膜靶材│✘│•▩,陶瓷濺射鍍膜靶材│✘│•▩,硼化物陶瓷濺射靶材│✘│•▩,碳化物陶瓷濺射靶材│✘│•▩,氟化物陶瓷濺射靶材 │✘│•▩,氮化物陶瓷濺射靶材 │✘│•▩,氧化物陶瓷靶材│✘│•▩,硒化物陶瓷濺射靶材 │✘│•▩,矽化物陶瓷濺射靶材 │✘│•▩,硫化物陶瓷濺射靶材 │✘│•▩,碲化物陶瓷濺射靶材 │✘│•▩,其他陶瓷靶材│✘│•▩,摻鉻氧化矽陶瓷靶材(Cr-SiO)│✘│•▩,磷化銦靶材(InP)│✘│•▩,砷化鉛靶材(PbAs)│✘│•▩,砷化銦靶材(InAs)·│▩。


應用領域

眾所周知│✘│•▩,靶材材料的技術發展趨勢與下游應用 產業的薄膜技術發展趨勢息息相關│✘│•▩,隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進│✘│•▩,靶材技術也應隨之變化·│▩。如Ic製造商.近段時間致力於低電阻率銅佈線的開發│✘│•▩, 預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜│✘│•▩,這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發將刻不容緩·│▩。另外│✘│•▩,近 年來平面顯示器(F P D)大幅度取代原 以陰射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場.亦將大幅增 加ITO靶材的技術與市場需求·│▩。此外在儲存技術方面·│▩。高密度·✘☁╃│、大容量硬碟│✘│•▩,高密度的可擦寫光碟的需求持 續增加. 這些均導致應用產業對靶材的需求發生變化·│▩。下面我們將分別介紹靶材的主要應用域│✘│•▩,以及這些域靶材發展的趨勢·│▩。

微電子域

在所有應用產業中│✘│•▩,半導體產業對靶材濺射薄膜的品質要求是苛刻的·│▩。如今12英寸 (3 0 0衄 口)的 矽晶片已製造出來.而互連線的寬度卻在減小·│▩。矽 片製造商對靶材的要求是大尺寸·✘☁╃│、高純度·✘☁╃│、低偏析和 細晶粒│✘│•▩, 這就要求所製造的靶材具有更好的微觀結構·│▩。靶材的結晶粒子直徑和均勻性 已被認為是影響薄膜沉 積率的關鍵因素·│▩。另外│✘│•▩,薄膜的純度與靶材的純度關 系大│✘│•▩,過去99.995 %4 N5) 純度的銅靶│✘│•▩,或許能夠滿 足半導體廠商0.3 5pm 工藝的需求│✘│•▩,但是卻無法滿足如今0.2 5um的工藝要求│✘│•▩, 而未米的 0.18um }藝甚至0.13m工藝│✘│•▩,所需要的靶材純度將要求達 到5甚至 6N以上·│▩。銅與鋁相比較│✘│•▩,銅具有更高的抗電遷移能力及更 低的電阻率│✘│•▩,能夠滿足₪│☁! 導體工藝在0 .25um 以下 的亞微米佈線的需要但卻帶米了其他的問題↟╃│:銅與 有機介質材料的附著強度低.並且容易發生反應│✘│•▩,導 致在使用過程中晶片的銅互連線被腐蝕而斷路·│▩。為了解決以上這些問題│✘│•▩,需要在銅與介質層之間設定阻擋 層·│▩。阻擋層材料般採用高熔點·✘☁╃│、高電阻率的金屬及其化合物│✘│•▩,因此要求阻擋層厚度小於50n m│✘│•▩,與銅及介質材料的附著效能良好·│▩。銅互連和鋁互連的阻擋層 材料是不同的.需要研製新的靶材材料·│▩。銅互連的阻 擋層用靶材包括 T a ·✘☁╃│、W·✘☁╃│、T a S i ·✘☁╃│、WS i 等 .但是T a ·✘☁╃│、W 都是難熔金屬.製作相對困難│✘│•▩,如今正在研究鉬·✘☁╃│、鉻 等的臺金作為替代材料·│▩。

顯示器用

平面顯示器(FPD) 這些年來大幅衝擊 以陰射線管 (CRT) 為主的電腦顯示器及電視機市場│✘│•▩,亦將帶動ITO靶材的技術與市場需求·│▩。如今的i T O靶材有兩種. 種是採用奈米狀態的氧化銦和氧化錫粉混合後燒結│✘│•▩,種是採用銦錫合金靶材·│▩。銦錫臺金靶材可以採用 直流反應濺射製造 I T O薄膜│✘│•▩,但是靶表面會氧化而影 響濺射率│✘│•▩,並且不易得到大尺寸的臺金靶材·│▩。如今般採取種方法生產 I T O 靶材│✘│•▩,利用 L } I R F反應濺射鍍膜. 它具有沉積速度快.且能控制膜厚│✘│•▩,電導率高│✘│•▩,薄膜的致性好│✘│•▩,與基板的附著力強等優點 l·│▩。但是靶材製作困難│✘│•▩,這是因為氧化銦和 氧化錫不容易燒結在起·│▩。般採用 Z r O2 ·✘☁╃│、B i 2 O 3 ·✘☁╃│、 C e O 等作為燒結新增劑│✘│•▩,能夠獲得密度為理論值的 9 3 %~9 8 %的靶材│✘│•▩,這種方式形成的 I T O薄膜的效能 與新增劑的關係大·│▩。日本的科學家採用 B i z o 作為 新增劑│✘│•▩,B i 2 O3 8 2 0 C r 熔化│✘│•▩,在 l 5 0 0℃的燒結溫度超出部分已經揮發│✘│•▩,這樣能夠在液相燒結條件下 得到比較純的 I T O靶材·│▩。而且所需要的氧化物原料也 不定是奈米顆粒│✘│•▩,這樣可以簡化前期的工序·│▩。採川 這樣的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率達到 8 1 ×1 0 n- c m│✘│•▩,接近純的 I T O薄膜 的電阻率·│▩。F P D和導電玻璃的尺寸都相當火│✘│•▩,導電玻璃的寬 度甚至可以達到 3 1 3 3 _ │✘│•▩,為了提高靶材的利用率│✘│•▩,開發 了不同形狀的I T O靶材│✘│•▩,如圓柱形等·│▩。2 0 0 0年│✘│•▩, 發展計劃委員會·✘☁╃│、科學技術部在 《 當前優先發展的信 息產業重點域指南》中│✘│•▩, I T O大型靶材也列入其中·│▩。

儲存用

在儲存技術方面│✘│•▩,高密度·✘☁╃│、大容量硬碟的發展│✘│•▩,需要大量的巨磁阻薄膜材料│✘│•▩,CoF ~Cu多層複合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構·│▩。磁光碟需要的 T b F e C o合金靶材還在進步發展│✘│•▩,用它製造的磁光 盤具有儲存容量大│✘│•▩,壽命長│✘│•▩,可反覆無接觸擦寫的 點·│▩。如今開發出來的磁光碟│✘│•▩,具有 T b F e C o / T aT b F e C o / Al 的 層複合膜結構│✘│•▩, T bF eCo/AI結構的Kerr 旋轉角達到5 8│✘│•▩,而T b F e Co f F a 則可以接近0.8·│▩。經過研究發現│✘│•▩, 低磁導率的靶材高交流區域性放電電壓 l 抗電強度·│▩。

基於鍺銻碲化物的相變儲存器(PCM)顯示出顯著的商業化潛力,NOR型快閃記憶體和部分DRAM市場的項替代性儲存器技術│✘│•▩,不過,在實現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之,便是缺乏能夠生產可進步調低復位電流的完密閉單元·│▩。降低復位電流可降低儲存器的耗電量,延長電池壽命和提高資料頻寬,這對於當前以資料為中心的·✘☁╃│、高度行動式的消費裝置來說都是很重要的徵·│▩。

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